185N55F3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 产品简介：

VBsemi的185N55F3-VB TO220是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。它采用槽道技术，具有较低的导通电阻和高的开关速度，适用于各种领域和模块的应用。

### 详细参数说明：

- **包装**：TO220
- **结构**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：60V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：9mΩ @ VGS=4.5V；3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：210A
- **技术**：槽道

### 应用示例：

1. **电源模块**：由于其较低的导通电阻和高的漏极电流，185N55F3-VB TO220适用于高性能电源模块，能够提供高效的电能转换。

2. **马达驱动**：在需要大电流输出的马达驱动模块中，这款MOSFET能够提供可靠的开关控制和低损耗的功率转换。

3. **LED照明**：在LED照明应用中，185N55F3-VB TO220可以作为电流控制器，提供稳定的电流输出，并能够承受较高的工作电压。

4. **汽车电子**：由于其高电流和高压的特性，这款MOSFET适用于汽车电子模块，如电动汽车控制器和电池管理系统。

5. **工业控制**：在工业控制设备中，这款MOSFET可以用于开关电源和电机驱动，提高系统的效率和可靠性。

以上是185N55F3-VB TO220的产品简介、详细参数说明和应用示例。