180N55F3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

### 产品简介

**180N55F3-VB TO263**是一款单N沟道MOSFET，采用了Trench技术，具有优异的开关性能和低导通电阻。适用于各种要求高电流和低压降的功率电子应用，如电源管理、电机驱动等。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO263
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - 12mΩ @ VGS=4.5V
  - 3.2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：210A
- **技术**：Trench

### 应用领域和模块示例

**电源管理**：
- 由于低导通电阻和高漏极-源极电压，适用于高效能、高稳定性的电源管理模块。例如，用于电动汽车充电桩和工业电源系统。

**电机驱动**：
- 适用于各种电机驱动应用，如电动汽车驱动、工业电机控制等。具有高电流承受能力和低压降，能够提供稳定的电流输出。

**电源转换器**：
- 在高效能量转换要求的电源转换器中表现出色。例如，用于太阳能逆变器和工业电源转换器中的功率模块。

**电动工具**：
- 适用于各种电动工具，如电动钻、电动锯等。具有高电流和低压降，能够提供稳定的功率输出，提高工具的性能和效率。

**LED照明**：
- 用于LED照明驱动器中，能够提供稳定的电流输出，确保LED的稳定亮度和长寿命。