### 产品简介:
VBsemi的18N50G-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET,具有高耐压和低导通电阻。采用SJ_Multi-EPI技术,适用于各种领域和模块的高性能应用。
### 详细参数说明:
- **包装**:TO220F
- **结构**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 应用示例:
1. **电源逆变器**:由于其高耐压特性,18N50G-TF1-T-VB适用于电力电子设备中的逆变器模块,能够提供稳定的电力转换。
2. **充电桩**:在充电桩中,这款MOSFET可以用作开关管,实现电能的快速控制和转换。
3. **太阳能逆变器**:在太阳能电池系统中,这款MOSFET能够承受较高的工作电压,适用于逆变器和电能调节模块。
4. **电动汽车充电器**:在电动汽车充电器中,这款MOSFET可以用于高效率的电能转换,提高充电速度。
5. **工业电源**:在工业电源设备中,这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统,提供稳定可靠的电力输出。
以上是18N50G-TF1-T-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。