18P06P-VB TO263一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 18P06P-VB TO263 MOSFET产品简介：

VBsemi的18P06P-VB TO263是一款TO263封装的单通道P沟道MOSFET。该产品具有-60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），-1.7V的阈值电压（Vth），77mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V和64mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及-30A的漏极电流（ID）。采用Trench技术。

18P06P-VB TO263详细参数说明：

- 封装：TO263
- 类型：单通道P沟道
- VDS（漏极-源极电压）：-60V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：-1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：77mΩ @ VGS=4.5V，64mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：-30A
- 技术：Trench

产品应用领域和模块示例：

1. 电源逆变器：18P06P-VB TO263适用于电源逆变器中的功率开关电路，能够提供高效率的能量转换。

2. 汽车电子系统：在汽车电子系统中，18P06P-VB TO263可用于驱动电动机和其他功率控制应用，提高系统效率。

3. 工业控制系统：在需要负载开关和电源控制的工业控制系统中，18P06P-VB TO263可以提供可靠的性能。

4. 电源管理模块：在需要高效能管理和稳定输出的应用中，如电源管理模块中，18P06P-VB TO263可以提供可靠的性能。

以上是关于VBsemi 18P06P-VB TO263 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。