### 产品简介
VBsemi的1N65L-TA3-T-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的门极-源极电压(VGS)。该器件采用Plannar技术制造,具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为3900mΩ(在VGS=4.5V时)和3120mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为2A。这使得1N65L-TA3-T-VB适用于低功率、低频率应用,如电源开关、低功率逆变器等。
### 详细参数说明
- **Package**:TO220
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:650V
- **VGS**:30V(±)
- **Vth**:3.5V
- **RDS(ON)**:3900mΩ @ VGS=4.5V;3120mΩ @ VGS=10V
- **ID**:2A
- **Technology**:Plannar
### 适用领域和模块示例
1N65L-TA3-T-VB适用于低功率、低频率应用,包括但不限于:
1. **电源开关**:由于其低漏极-源极导通电阻和低功率特性,1N65L-TA3-T-VB可用于低功率电源开关,如电视机、音响设备等。
2. **低功率逆变器**:在需要低功率逆变器的应用中,如家用电器、小型电动车等,1N65L-TA3-T-VB可以实现简单而有效的逆变控制。
3. **电动工具**:在需要低功率、高效率的电动工具中,1N65L-TA3-T-VB可以用作电机驱动器的开关器件,提供高效的能量转换。
4. **LED照明**:由于其低功率特性,1N65L-TA3-T-VB适用于低功率LED照明驱动器和其他低功率照明应用。
总之,1N65L-TA3-T-VB是一款低功率、低频率应用的MOSFET,适用于各种低功率领域和模块。