**产品简介:**
1N80G-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3.5V的阈值电压(Vth)。该器件采用了Plannar技术,适用于中高压应用。
**详细参数:**
- **VDS(漏极-源极电压):** 850V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 4A
- **封装:** TO220
- **技术:** Plannar
**适用领域和模块:**
1N80G-TA3-T-VB适用于中高压应用,包括但不限于:
1. **电源管理:** 用于中高压开关电源、逆变器和稳压器等模块中,以提供可靠的电能转换和控制。
2. **电机控制:** 用于中高压电机控制、工业机械和家用电器等领域中,以实现高效的电机控制和驱动。
3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器、风能逆变器等模块中,以实现将直流能源转换为交流能源的控制。
总的来说,1N80G-TA3-T-VB MOSFET是一款适用于中高压应用的MOSFET,具有可靠的性能和广泛的应用领域。