15N80K5-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 15N80K5-VB MOSFET 产品简介

VBsemi 15N80K5-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高电压承受能力和低导通电阻。该器件封装为TO247，适用于高压电力转换和控制应用，提供高性能和可靠性。

### 15N80K5-VB MOSFET 参数说明

- **型号**: 15N80K5-VB
- **封装**: TO247
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 370mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

1. **工业控制模块**:
   - **应用**: 用于工业自动化控制系统中的高压电机控制、变频器和电力调节器等。
   - **优势**: 高漏源电压和低导通电阻，能够实现高效率的电能转换和精确的电力调节。

2. **电力电子模块**:
   - **应用**: 适用于高压直流-直流转换器、电力因特网和UPS等高压电力转换设备。
   - **优势**: SJ_Multi-EPI技术提供了更好的温度稳定性和电气性能，确保设备在恶劣环境下的稳定运行。

3. **新能源领域模块**:
   - **应用**: 用于风力发电系统、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
   - **优势**: 高电流承载能力和低导通电阻，提供可靠的电力转换和控制，促进新能源产业的发展。

4. **医疗设备模块**:
   - **应用**: 适用于医疗影像设备、激光治疗设备和高频电疗设备等。
   - **优势**: 高性能和可靠性，确保医疗设备在长时间工作中的稳定性和安全性。

VBsemi 的 15N80K5-VB MOSFET 通过其高性能和可靠性，为各种高压电力转换和控制应用提供了可靠的解决方案。