### 一、20N50G-T3P-T-VB 产品简介
20N50G-T3P-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO3P,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高压(600V)和高电流(20A)处理能力。该器件在10V栅极驱动电压下具有190mΩ的导通电阻,适用于高压应用场合,如电动汽车充电桩、工业电源、UPS系统等,具有良好的热稳定性和高可靠性。
### 二、20N50G-T3P-T-VB 详细参数说明
- **封装形式**:TO3P
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:600V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:190mΩ @VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 三、20N50G-T3P-T-VB 应用领域和模块举例
1. **电动汽车充电桩**:
- **应用说明**:20N50G-T3P-T-VB 的高压和高电流处理能力使其成为电动汽车充电桩中的关键器件,可确保高效、稳定和安全的充电过程。
- **实例**:适用于快速充电桩和直流充电桩等需要高电压和高电流的充电设备。
2. **工业电源**:
- **应用说明**:20N50G-T3P-T-VB 在工业电源中可以提供稳定的输出电压和电流,其高导通电阻和低开关损耗有助于提高整体效率。
- **实例**:适用于工业设备的开关电源、直流电源等高压电源模块。
3. **UPS系统**:
- **应用说明**:在UPS系统中,20N50G-T3P-T-VB 可以提供可靠的电流处理能力,确保UPS系统在断电时能够提供稳定的备用电源。
- **实例**:应用于工业、商业建筑等需要稳定备用电源的UPS系统中。
这些应用示例展示了20N50G-T3P-T-VB 在高压、高电流应用中的广泛适用性和优越性能,能够满足多种工业和电力应用的需求。