20N50H-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 20N50H-VB TO220F MOSFET 产品简介

#### 一、产品简介

VBsemi的20N50H-VB TO220F是一款单N-沟道MOSFET，采用了Plannar技术。该器件具有高漏源电压和适中的导通电阻，适用于需要高电压和中等电流处理能力的功率管理应用。

#### 二、详细参数说明

- **封装 (Package)**: TO220F
- **配置 (Configuration)**: 单N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 550V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 260mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术 (Technology)**: Plannar

#### 三、应用领域和模块举例

20N50H-VB TO220F MOSFET适用于多种领域和模块，以下是一些具体的应用实例：

1. **电源开关**：由于其高漏源电压和适中的导通电阻，20N50H-VB TO220F可用作电源开关，控制高压电路的通断，如UPS系统、工业电源等。

2. **电动车充电器**：在电动车充电器中，20N50H-VB TO220F可用作电源开关，实现高效的充电过程控制，同时保证安全性和稳定性。

3. **电焊机**：在高压高功率设备中，如电焊机，20N50H-VB TO220F可用于控制功率开关，实现稳定的焊接过程。

4. **气体放电灯**：在气体放电灯中，20N50H-VB TO220F可用作驱动器的开关器件，提供稳定的电流和高效的能量转换。

5. **医疗设备**：在需要高电压和适中电流的医疗设备中，20N50H-VB TO220F可用于电源开关和控制器件，保证设备的稳定运行和高效能量转换。

通过结合其技术特点和具体应用，20N50H-VB TO220F MOSFET提供了一个高效且可靠的解决方案，满足了多种现代电子系统的需求。