2N60KL-TF3-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介

**2N60KL-TF3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO220F封装。这款MOSFET具有650V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为1700mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。采用Plannar技术，适用于低功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 规格                    |
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| 封装类型            | TO220F                  |
| 配置                | 单N沟道                |
| 漏源电压（VDS）     | 650V                    |
| 栅源电压（VGS）     | 30V（±）                |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V                    |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 1700mΩ@VGS=10V          |
| 最大漏极电流（ID）  | 2A                      |
| 技术                | Plannar                 |

### 应用领域和模块

1. **低功率电源**：2N60KL-TF3-T-VB MOSFET适用于低功率电源模块，如适配器、小型电源供应器和充电器。其低导通电阻和低功率特性使其能够提供稳定可靠的电源输出。

2. **照明控制**：在LED照明和其他低功率照明系统中，这款MOSFET被用来调节电流和控制亮度，确保系统的高效和稳定运行。

3. **汽车电子**：在汽车电子系统中，2N60KL-TF3-T-VB MOSFET可以用于低功率应用，如车内照明、辅助电路和传感器控制。其高压和低功率特性使其能够满足汽车电子系统对功率密度和效率的要求。