12N60L-TF3-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介：

12N60L-TF3-T-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），680mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及12A的漏极电流（ID）。采用了Plannar工艺。适用于中低功率、中高压的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** TO220F
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 650V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 680mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 12A
- **Technology（工艺）：** Plannar

### 应用示例：

1. **电源模块：** 12N60L-TF3-T-VB 可用于中低功率的电源模块，如LED驱动电源、开关电源等，以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电动工具：** 适用于中低功率电动工具的电源开关和控制电路，如电动钻、电动锤等。

3. **UPS系统：** 可用于中低功率的UPS系统中，提供备用电源并实现电网切换功能。

4. **工业控制：** 可用于工业领域中的电源开关和控制电路，如机械控制、传感器控制等，提供中低功率的功率控制。

5. **电动汽车充电桩：** 适用于中低功率的电动汽车充电桩中，提供稳定的充电电流和电压。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。