2SJ280S-VB一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SJ280S-VB 产品简介

2SJ280S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中，具有较好的散热性能和高电流承受能力，适用于高功率应用。

### 二、2SJ280S-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO263
- **配置**：单一 P-沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - 25mΩ @ VGS=4.5V
  - 19mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-80A
- **技术**：Trench

### 三、应用领域和模块示例

2SJ280S-VB 的高功率特性使其适用于多种领域和模块：

1. **电源管理模块**：
   由于其高功率处理能力，2SJ280S-VB 可以用于服务器电源、工控电源等高功率电源管理模块，以提供稳定的电源转换和高效的能量管理。

2. **电动车辆**：
   在电动车辆的控制系统中，2SJ280S-VB 可以用于驱动器和电池管理系统，以实现高效的能量转换和电动车辆的稳定运行。

3. **工业设备**：
   该 MOSFET 可以用于工业设备中的高功率开关电路，如机器人、数控设备等，以提供可靠的电源开关和控制功能。

4. **电源逆变器**：
   在太阳能和风能等可再生能源系统中，2SJ280S-VB 可以用于逆变器，实现从直流到交流的能量转换，提供给电网或电器使用。

通过上述应用实例，可以看出2SJ280S-VB 在高功率、高效能量转换和稳定性要求较高的领域和模块中具有重要的应用价值。