### 产品简介
**产品型号:2SJ636-VB**
**封装类型:TO252**
**配置:单一P沟道**
**技术:Trench**
**主要特点:**
- **VDS(漏源电压):** -100V
- **VGS(栅源电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** -2V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 280mΩ@VGS=4.5V;250mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** -8.8A
2SJ636-VB是一款高性能P沟道MOSFET,适用于各种低压电源和开关电路应用。
### 参数说明
1. **基本参数:**
- **型号:** 2SJ636-VB
- **封装类型:** TO252
- **配置:** 单一P沟道
- **技术:** Trench
2. **电气特性:**
- **漏源电压 (VDS):** -100V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** -2V
3. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=4.5V:** 280mΩ
- **@ VGS=10V:** 250mΩ
4. **漏极电流 (ID):** -8.8A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 25W
- **工作温度范围:** -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块
1. **低压电源:**
由于2SJ636-VB具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力,适用于低压电源的开关和稳压控制。
2. **LED照明:**
在LED照明驱动电路中,这款MOSFET可用于开关电源和LED驱动器,确保高效的能量转换和稳定的电流输出。
3. **电动工具:**
用于电动工具中的电机控制电路,能提供高效的电流开关和管理,提高电动工具的性能和寿命。
4. **汽车电子:**
在汽车电子领域,2SJ636-VB可用于车辆电子控制单元(ECU)中的马达控制和其他功率开关应用,提高汽车电子系统的效率和可靠性。
综上所述,2SJ636-VB是一款多功能P沟道MOSFET,适用于各种低压、高电流的电源和开关应用,是许多电子系统中的理想选择。