### 产品简介
**产品型号:2SK1096-MR-VB**
**封装类型:TO220F**
**配置:单一N沟道**
**技术:Trench**
**主要特点:**
- **VDS(漏源电压):** 60V
- **VGS(栅源电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 27mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 45A
2SK1096-MR-VB是一款高性能N沟道MOSFET,适用于高电流和低压降的应用。
### 参数说明
1. **基本参数:**
- **型号:** 2SK1096-MR-VB
- **封装类型:** TO220F
- **配置:** 单一N沟道
- **技术:** Trench
2. **电气特性:**
- **漏源电压 (VDS):** 60V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
3. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=10V:** 27mΩ
4. **漏极电流 (ID):** 45A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 150W
- **工作温度范围:** -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块
1. **电机驱动:**
由于2SK1096-MR-VB具有高漏极电流和低导通电阻,适用于各种电机驱动应用,如电动工具、电动汽车等,提供高效的功率控制。
2. **电源开关:**
在各种电源开关中,这款MOSFET可以提供稳定的电源开关和能量转换,适用于各种电源管理应用。
3. **汽车电子:**
在汽车电子领域,2SK1096-MR-VB可用于车辆电子控制单元(ECU)中的马达控制和其他功率开关应用,提高汽车电子系统的效率和可靠性。
4. **工业控制:**
在工业控制系统中,这款MOSFET可用于高功率的电机驱动、伺服控制和机器人控制中,确保系统的高可靠性和低功耗。
综上所述,2SK1096-MR-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于各种高电流和低压降的应用,是许多电子系统中的理想选择。