2SK2689-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK2689-01MR-VB 产品简介

2SK2689-01MR-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有30V的漏源电压和68A的漏极电流能力。采用TO220F封装，适用于需要低电压和高电流的应用场合。其极低的导通电阻和合适的阈值电压使其在功率开关和电源管理应用中表现出色。

### 2SK2689-01MR-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2689-01MR-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 1mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 68A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**：
   2SK2689-01MR-VB 可用于低电压和高电流的电源管理模块，如高性能电源适配器和DC-DC转换器。其低导通电阻和高电流能力使其成为这些应用中的理想选择。

2. **电池保护**：
   在电池保护电路中，这种MOSFET可用于开关和保护电路。其低电压和高电流能力确保了电池系统的高效能和稳定性。

3. **汽车电子**：
   2SK2689-01MR-VB 可用于汽车电子系统中的功率开关和电源管理模块。其高性能和可靠性使其成为汽车应用中的理想选择。

4. **LED驱动**：
   在LED照明系统中，2SK2689-01MR-VB 可用于驱动和控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其适合于高亮度LED的驱动。

这些示例说明了 2SK2689-01MR-VB 在各种领域和模块中的广泛应用，其高性能和可靠性使其成为各种低电压和高电流应用的理想选择。