2SJ190-VB一款P—Channel沟道SOT89-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

VBsemi的2SJ190-VB是一款P沟道MOSFET，适用于各种低压、中压和高压应用。具有-60V的耐压能力和-5A的电流承受能力，内部电阻（RDS(ON)）为58mΩ（@ VGS=10V）。采用SOT89-3封装，适用于小型电路板应用。

### 二、详细参数说明

- **型号：** 2SJ190-VB
- **丝印：** VBI2658
- **品牌：** VBsemi
- **沟道类型：** P沟道
- **最大耐压：** -60V
- **最大电流：** -5A
- **内部电阻（RDS(ON)）：** 58mΩ @ VGS=10V
- **门极-源极阈值电压（Vth）：** 1~3V
- **封装：** SOT89-3

### 三、适用领域和模块示例

1. **功率管理模块：** 
   2SJ190-VB适用于功率管理模块，如DC-DC转换器和稳压器。其高耐压能力和低内部电阻可确保功率管理模块的高效率和稳定性。

2. **逆变器模块：** 
   作为P沟道MOSFET，2SJ190-VB可用于逆变器模块，用于转换直流电源为交流电源。适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等领域。

3. **开关电源模块：** 
   在开关电源模块中，2SJ190-VB可用作开关管以实现电源的开关控制。其高耐压能力和低内部电阻可确保开关电源模块的高效率和稳定性。

4. **电动汽车模块：** 
   由于其耐压能力和电流承受能力，2SJ190-VB可用于电动汽车模块，如电池管理系统和驱动控制系统。确保电动汽车系统的安全性和可靠性。

5. **音频放大器模块：** 
   2SJ190-VB还可用于音频放大器模块，用作功率放大器的输出级开关。其低内部电阻和稳定性能可确保音频放大器的高保真度和稳定性。