**产品简介:**
32N06L-TO252-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,具有60V的漏极-源极电压,最大45A的漏极电流,以及在VGS=10V时的24mΩ的导通电阻(RDS(ON))。其丝印为VBE1638,封装为TO252。
**详细参数说明:**
- 最大漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大漏极电流(ID):45A
- 导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 封装类型:TO252
**适用领域和模块举例:**
1. **电源管理模块**:由于32N06L-TO252-VB具有较高的漏极电压和电流能力,可用于设计高效的开关电源和线性稳压器,适用于服务器、工业设备等领域。
2. **汽车电子**:在汽车电子系统中,32N06L-TO252-VB可用于驱动汽车的电动马达,例如电动车窗、电动座椅等,以及作为汽车的直流-直流变换器的开关器件。
3. **工业自动化**:32N06L-TO252-VB可用于控制各种工业设备和机器人的电机,以实现精确的运动控制和自动化生产。
4. **LED照明**:在LED照明系统中,32N06L-TO252-VB可用作LED驱动器的开关器件,实现LED灯的调光和调色功能,适用于室内照明、车灯等领域。
综上所述,32N06L-TO252-VB是一款高性能的N-Channel沟道场效应晶体管,适用于多种领域的功率控制和开关应用,为设计者提供了稳定可靠的解决方案。