1N60H-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

VBsemi的1N60H-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用Plannar技术制造，具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）为3440mΩ（在VGS=4.5V时）和4300mΩ（在VGS=10V时），最大漏极电流（ID）为2A。这使得1N60H-VB适用于低功率、低频率应用，如电源开关、低功率逆变器等。

### 详细参数说明

- **Package**：TO252
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：650V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：3440mΩ @ VGS=4.5V；4300mΩ @ VGS=10V
- **ID**：2A
- **Technology**：Plannar

### 适用领域和模块示例

1N60H-VB适用于低功率、低频率应用，包括但不限于：

1. **电源开关**：由于其低漏极-源极导通电阻和低功率特性，1N60H-VB可用于低功率电源开关，如电视机、音响设备等。

2. **低功率逆变器**：在需要低功率逆变器的应用中，如家用电器、小型电动车等，1N60H-VB可以实现简单而有效的逆变控制。

3. **电动工具**：在需要低功率、高效率的电动工具中，1N60H-VB可以用作电机驱动器的开关器件，提供高效的能量转换。

4. **LED照明**：由于其低功率特性，1N60H-VB适用于低功率LED照明驱动器和其他低功率照明应用。

总之，1N60H-VB是一款低功率、低频率应用的MOSFET，适用于各种低功率领域和模块。