GTT3434-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

**型号：** GTT3434-VB

**品牌：** VBsemi

**封装：** SOT23-6

**产品简介：**

GTT3434-VB是一款N沟道场效应管，适用于低压、低功率的电路设计。其额定工作电压为30V，额定漏极电流为6A。具有低导通电阻（RDS(ON)）和低阈值电压（Vth），适合于需要高效能、小尺寸的应用场合。

**详细参数说明：**

- 漏极-源极电压（VDS）：30V
- 漏极电流（ID）：6A
- 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压（Vth）：1.2V
- 封装类型：SOT23-6

**适用领域和模块举例：**

1. **移动设备**：由于GTT3434-VB具有小尺寸和低功耗特点，适用于移动设备中的功率管理模块，如智能手机、平板电脑等，用于电池管理、充放电控制等。

2. **嵌入式系统**：在嵌入式系统中，通常需要小型、高效的功率开关器件来实现各种功能。GTT3434-VB可用于嵌入式系统中的电源管理、电机驱动等模块，以提供稳定、高效的电力控制。

3. **消费电子**：消费电子产品需要小型化、高性能的电子元件来实现各种功能。GTT3434-VB可应用于消费电子产品中的充电管理、DC-DC变换器等模块，以提供高效、可靠的电源解决方案。

4. **医疗器械**：在医疗器械中，需要高性能、可靠的电子元件来确保设备的稳定运行。GTT3434-VB可用于医疗器械中的电源管理、信号处理等模块，以提供稳定、安全的电力支持。

综上所述，GTT3434-VB适用于移动设备、嵌入式系统、消费电子和医疗器械等领域和模块，具有小尺寸、高效能的特点，能够提供稳定、可靠的电力控制和管理。