GTT2604-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

产品简介：GTT2604-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场效应管。该器件具有30V的漏极-源极电压承受能力和6A的漏极电流能力。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为30mΩ。该器件采用SOT23-6封装，适用于低压功率控制和开关应用，具有高性能和小型封装的特点。

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：GTT2604-VB
- 沟道类型：N-Channel
- 最大漏极-源极电压（VDS）：30V
- 最大漏极电流（ID）：6A
- 导通电阻RDS(ON)：30mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压Vth：1.2V
- 封装：SOT23-6

适用领域和模块示例：
1. 电池管理系统：GTT2604-VB可以用于电池管理系统中的充放电控制和保护，帮助提高电池的使用效率和安全性。
2. 便携式设备：由于其小型封装和低压特性，该器件适用于各种便携式设备，如智能手机、平板电脑等，用于电源管理和开关控制。
3. 低功耗应用：在需要低功耗和高效能的领域，如传感器网络、物联网设备等，GTT2604-VB可用于功率控制和开关，延长设备的电池寿命。
4. LED照明：作为LED驱动器的一部分，该器件可以用于调光和开关LED灯，提供高效的照明解决方案。