GTT3585-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

## 产品简介：

**型号：** GTT3585-VB  
**品牌：** VBsemi  
**封装：** SOT23-6  

GTT3585-VB是一款双通道MOSFET，其中包含2个N沟道和1个P沟道MOSFET。它具有宽广的电压范围和电流承受能力，适用于多种电路设计和应用场景。

## 参数说明：

- **2个N+P沟道MOSFET**
- **电压范围（VDS）:** ±20V
- **N沟道漏极电流（IDN）:** 7A @ VGS=4.5V
- **P沟道漏极电流（IDP）:** -4.5A @ VGS=4.5V
- **N沟道导通电阻（RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS=4.5V
- **P沟道导通电阻（RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS=4.5V
- **阈值电压（Vth):** N沟道：0.71V，P沟道：-0.81V
- **封装类型:** SOT23-6  

## 应用领域和模块示例：

1. **电源逆变器：** GTT3585-VB的双通道设计使其适用于电源逆变器中，可用于控制交流电源的输出，实现电源逆变和转换。

2. **电池管理系统：** 在电池管理系统中，GTT3585-VB可以用于充放电控制、电池保护以及电池均衡等功能，确保电池的安全和稳定性。

3. **电流控制：** 由于其双通道设计和较低的导通电阻，GTT3585-VB适用于电流控制电路，如电流源、电流镜等。

4. **自动化控制：** 在自动化控制系统中，GTT3585-VB可用于控制执行器、传感器和驱动器，实现精确和可靠的控制。

5. **通信设备：** 在通信设备中，GTT3585-VB可以用于功率放大器、功率管理和信号处理等电路，为通信系统提供稳定的电源和信号传输。

GTT3585-VB的双通道设计和多功能特性使其适用于多种领域和模块，为电子系统提供灵活性和可靠性。