2N7002E-VB场效应管一款N沟道SOT23封装的晶体管

型号: 2N7002E-VB

丝印: VB162K

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 0.3A
- 开态电阻: RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V

封装: SOT23

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** SOT23，表明该器件使用SOT23封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 60V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 0.3A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1.6V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。

**应用简介:**
2N7002E-VB是一款小功率N-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **开关电源:** 由于其小功率特性，适用于小型开关电源和稳压器。
2. **信号开关:** 用于信号开关和电流调节应用。
3. **电源管理模块:** 适用于电源管理电路，如电池管理、电源切换等。
4. **LED驱动:** 可用于LED驱动电路中，提供对LED的精确控制。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。