2SJ486ZU-TL-E-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号：2SJ486ZU-TL-E-VB
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
封装：SOT23

参数：
- 沟道类型：P—Channel
- 最大漏极电压：-30V
- 最大漏极电流：-5.6A
- 静态漏极-源极电阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth = -1V

应用简介：
该器件适用于各种电源管理和开关电路中。由于其P—Channel沟道类型和低漏极-源极电阻，特别适用于要求高效能和低功耗的应用。常见的应用领域包括电源逆变器、电源开关、功率管理模块等。

详细参数说明：
- 沟道类型：P—Channel，适用于负载开关和电源管理。
- 最大漏极电压：-30V，确保在一定电压范围内可靠工作。
- 最大漏极电流：-5.6A，适用于中等功率的电源管理需求。
- 静态漏极-源极电阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低导通电阻确保高效的能量转换。
- 阈值电压：Vth = -1V，确保在适当的电压条件下工作。

应用领域：
1. 电源逆变器：用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器等。
2. 电源开关：在电源管理电路中，作为负载开关以控制电流流动。
3. 功率管理模块：在需要高效、可靠电源管理的场合，如电动工具、无线通信设备等。

这款器件的特性使其成为各种电源管理模块中的理想选择，为应用提供高性能和稳定的电源解决方案。