LNTR4003NLT1G-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

型号: LNTR4003NLT1G-VB

丝印: VB1330

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 6.5A
- 开通电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

封装: SOT23

详细参数说明和应用简介:

LNTR4003NLT1G-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管，封装为SOT23。该器件具有30V的额定电压，6.5A的额定电流，以及低的开通电阻（RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V）。阈值电压Vth在1.2~2.2V范围内。

**应用领域:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关和调节电路，提供高效的功率转换。
2. **电机驱动:** 在电机控制和驱动模块中，用于实现高效的电机运行。
3. **LED驱动:** 在LED照明应用中，可用于控制和调节LED的亮度。
4. **电源逆变器:** 用于制造高效的逆变器，将直流电源转换为交流电源。

LNTR4003NLT1G-VB适用于需要高性能N-Channel沟道MOSFET的多种应用，包括但不限于上述提到的领域。其性能特点使其成为各种电子系统中的理想选择。