FDN5632N-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

产品型号: FDN5632N-VB

丝印: VB1695

品牌: VBsemi

**详细参数说明:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 最大耐压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开通电阻（RDS(ON)）: 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）: 1~3V

**应用简介:**
FDN5632N-VB是一款N-Channel沟道类型的场效应管，采用SOT23封装。其主要特点包括60V的最大耐压、4A的最大电流和低开通电阻（85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V），以及1~3V的阈值电压。这使得它在多种应用中表现卓越。

**适用领域:**
FDN5632N-VB适用于各种领域，特别是在需要N-Channel沟道类型场效应管的场景中，例如：
1. **电源管理模块:** 具有较高的最大耐压和适中的电流特性，可用于电源管理模块，确保稳定的电源输出。
2. **电动工具:** 由于低开通电阻，适用于电动工具等需要高电流驱动的应用。
3. **自动控制系统:** 适用于需要N-Channel沟道场效应管的自动控制系统，如自动化工业设备。

这些应用领域充分发挥了FDN5632N-VB在电源、控制和电动驱动方面的优势。