NCE2305A-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号：NCE2305A-VB

丝印：VB2355

品牌：VBsemi

参数：

- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.6A
- RDS(ON)：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1V

应用简介：

NCE2305A-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其特点包括低导通电阻和适用于负载开关等应用。

详细参数说明：

1. **封装类型：** SOT23
2. **沟道类型：** P—Channel
3. **额定电压：** -30V
4. **额定电流：** -5.6A
5. **导通电阻：** RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压：** Vth=-1V

领域和模块应用：

NCE2305A-VB适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的各种电子设备和模块，尤其是在低电压和低功耗要求的领域。以下是一些可能的应用场景：

1. **负载开关：** 由于其低导通电阻和P—Channel设计，适用于负载开关电路，可以用于控制电路中的负载。

2. **电源管理：** 在电源管理模块中，特别是需要P—Channel MOSFET的场合，例如低电压断路器和电源开关。

请注意，具体的应用和模块选择可能根据具体设计需求和电路要求而变化。建议在使用前查阅产品手册和规格书以确保正确的应用和操作。