NCE2321A-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi NCE2321A-VB**

- **封装类型:** SOT23
- **沟道类型:** P-Channel
- **最大耐压:** -30V
- **最大漏电流:** -5.6A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压 (Vth):** -1V

**详细参数说明:**
NCE2321A-VB是一款P-Channel沟道功率MOSFET，具有优良的导通电阻和耐压性能。在10V和20V的门源电压下，其导通电阻为47mΩ，适用于高效能的功率电路设计。阈值电压为-1V，适合要求较低门源电压的应用。

**应用简介:**
该器件适用于各种负载开关和功率放大器应用。具有低导通电阻和高漏电流的特性，使其成为电源管理和功率放大领域的理想选择。

**应用领域:**
1. **电源管理:** 用于电源开关、稳压器和直流-直流转换器。
2. **电机驱动:** 在电机控制中用于负载开关。
3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路。
4. **电动工具:** 驱动电动工具中的电机。
5. **汽车电子:** 用于汽车电子控制单元（ECU）中的功率开关。

**注意:** 在设计中，请根据具体的电路要求和工作条件仔细选择和使用该器件。