NVTR01P02LT1G-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品详细参数说明：

**产品型号：** NVTR01P02LT1G-VB  
**丝印：** VB2290  
**品牌：** VBsemi  
**参数：**  
- 封装类型：SOT23  
- 通道类型：P—Channel 沟道  
- 额定电压：-20V  
- 额定电流：-4A  
- 开态电阻：RDS(ON)=57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V  
- 阈值电压：Vth=-0.81V  

**封装：** SOT23  

### 应用简介：

NVTR01P02LT1G-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管，具有卓越的电气性能，适用于多种应用场景。以下是一些典型应用领域和模块示例：

1. **电源管理模块：** 由于产品具有-20V的额定电压和-4A的额定电流，适用于电源管理模块，可用于开关电源、电池充放电管理等场景，提供高效、可靠的电源控制。

2. **驱动模块：** 具有较低的开态电阻，适用于驱动模块，例如用于驱动电机、LED等，可在高电流负载下实现低损耗。

3. **电流控制模块：** 由于阈值电压较低，适用于电流控制模块，例如用于LED驱动电流控制，实现精准的电流调节。

4. **信号放大模块：** 小巧的SOT23封装适用于信号放大模块，可以用于放大传感器输出信号等。

### 示例应用领域：

1. **工业控制：** 用于驱动工业设备中的电机或执行器。

2. **电源管理：** 适用于开关电源和电池管理系统，提供可靠的电源控制。

3. **照明控制：** 用于LED驱动电路，实现照明控制，提供高效的照明解决方案。

4. **汽车电子：** 用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制，提供高性能的汽车电子解决方案。

NVTR01P02LT1G-VB产品在以上领域中具有广泛的应用，为各种电路设计提供了高性能的选项。在选择时，请根据具体的系统需求和电路设计进行调整。