NVTR01P02T-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**NVTR01P02T-VB**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 最大工作电压：-20V
  - 最大电流：-4A
  - RDS(ON)：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压：Vth=-0.81V

- **应用简介：**
  适用于各种电源管理和开关电源应用，特别是在需要 P—Channel 沟道的场合。具有低导通电阻和高效率的特性，适用于对性能要求较高的应用。

- **举例说明：**
  - **领域：** 电源管理领域
  - **模块：** 电源逆变器、功率放大器、电池管理系统

该器件在需要负载开关和电源管理的场景中表现出色，特别适用于对功耗、效率和空间有严格要求的应用。