RSS085N05-TB-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi RSS085N05-TB-VB**

**产品参数：**
- 类型: N—Channel沟道
- 额定电压: 40V
- 额定电流: 10A
- 导通电阻: RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V

**封装：** SOP8

**丝印：** VBA1410

**品牌：** VBsemi

**详细参数说明：**
VBsemi RSS085N05-TB-VB 是一款N—Channel沟道MOSFET，适用于40V电压下，最大电流可达10A。在VGS分别为10V和20V时，导通电阻为14mΩ。阈值电压为1.6V。采用SOP8封装，具有良好的散热性能。

**应用简介：**
这款MOSFET适用于多种应用场景，其中包括但不限于：
1. **电源模块：** 在电源系统中，该MOSFET可用于开关电源、直流-直流转换器等模块。
2. **电机驱动：** 由于其高电流和低导通电阻，适用于电机驱动模块，提高效率和性能。
3. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，可用于电动汽车电池管理、充电模块等。
4. **LED照明：** 用于LED照明驱动电路，确保高效能和稳定性。

这些特性使得 VBsemi RSS085N05-TB-VB 成为各种电子领域中的理想选择。