SMG2310B-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi SMG2310B-VB**

- **详细参数说明:**
  - 封装类型: SOT23
  - 沟道类型: N—Channel
  - 最大耐压: 60V
  - 最大电流: 4A
  - 开态电阻（RDS(ON)）:
    - 85mΩ @ VGS=10V
    - 85mΩ @ VGS=20V
  - 阈值电压（Vth）: 1~3V

- **应用简介:**
  - 适用于高性能电源管理、开关电源和功率放大应用。
  - 具有较低的开态电阻，适用于对效率和功率密度要求较高的设计。

- **示例应用:**
  1. **电源适配器模块:**
     - 用于电源适配器输出端，提供高效的电源。

  2. **开关电源模块:**
     - 适用于构建高效的开关电源、DC-DC变换器。

  3. **电机驱动模块:**
     - 由于其N—Channel沟道和较低开态电阻，可用于电机驱动。

  4. **功率放大器模块:**
     - 在功率放大电路中，可用于提供高效能耗的放大。

- **其他说明:**
  - 丝印: VB1695
  - 品牌: VBsemi

**注意:** 在实际应用中，请查看详细的规格书，以确保器件符合您的电路设计要求。