ST3406-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

产品型号: ST3406-VB
丝印: VB1330
品牌: VBsemi
封装: SOT23
参数:
- 沟道类型: N—Channel
- 额定沟道电压: 30V
- 额定电流: 6.5A
- 开通电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

应用简介:
该器件采用 SOT23 封装，适用于多种电路和模块应用，特别是在需要 N—Channel 沟道的场合。

领域应用:
1. **电源管理模块:** 由于其较低的开通电阻和适中的额定电流，可用于设计电源开关模块，提供高效的电源管理解决方案。
  
2. **电机驱动器:** 适用于小型电机驱动器，能够在低电阻和高电流的情况下提供可靠的性能。

3. **电源逆变器:** 由于其 N-沟道特性，适用于电源逆变器模块，可在不同的电压条件下提供可靠的开关操作。

4. **通用开关应用:** 作为 N-沟道 MOSFET，可以用于各种需要快速开关的通用电子应用。

请注意，具体应用和模块设计会受到电路要求、环境条件和其他因素的影响。在使用前，请仔细阅读产品手册和规格表，以确保正确的应用和性能。