UPA1730GR-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号：UPA1730GR-VB
丝印：VBA2311
品牌：VBsemi
参数：
- P—Channel沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-11A
- RDS(ON)：10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.42V
封装：SOP8

详细参数说明：
UPA1730GR-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，关键参数如下：
- **额定电压（VDS）：** -30V，适用于低压应用。
- **额定电流（ID）：** -11A，具有高电流承受能力。
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 10mΩ @ VGS=10V，VGS=20V，低导通电阻，降低功耗。
- **阈值电压（Vth）：** -1.42V，确保可靠的开关操作。

应用简介：
UPA1730GR-VB适用于多个领域和模块，具体应用场景包括：

1. **电源管理模块：** 用于电源开关和逆变器模块，提供高效的能源转换。

2. **电机驱动控制：** 在电机驱动应用中，降低导通损耗，提高系统效率。

3. **汽车电子系统：** 适用于汽车电子中的功率分配、驱动控制等模块，确保系统的稳定性和可靠性。

4. **LED照明：** 在LED照明领域，用于电源管理和LED驱动电路，提供高效、可靠的照明解决方案。

5. **工业控制系统：** 适用于各种工业控制系统，实现高效的电源开关和电流控制。

UPA1730GR-VB的性能卓越，多功能性使其成为电子领域中的理想选择，为不同应用场景提供可靠的解决方案。