UT2306G-AE3-R-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

**VBsemi UT2306G-AE3-R-VB**

- **参数说明：**
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：N—Channel
  - 最大耐压：30V
  - 最大电流：6.5A
  - 开启电压（门源电压）：Vth=1.2~2.2V
  - 开启电阻：RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **应用简介：**
  - **SOT23封装：** 小型、适用于紧凑空间的电子应用。
  - **N—Channel设计：** 适用于需要N型场效应晶体管的电路。
  - **中等电压、高电流：** 适用于中等电压条件下，要求较大电流的功率管理应用。
  - **低开启电阻：** 提供较低的导通电阻，有助于提高电路效能。

- **领域和模块应用：**
  - **电源管理模块：** 由于其N—Channel设计和较大电流能力，可用于中等电压的电源管理模块。
  - **电机驱动：** 适用于需要控制较大电流的电机驱动电路。
  - **功率逆变器：** 用于构建中功率的直流到交流的功率逆变器。
  - **LED驱动：** 由于其低开启电阻，可用于LED驱动电路，提高效率。

这款VBsemi UT2306G-AE3-R-VB场效应晶体管适用于多种电源管理和功率控制应用，特别是在中等电压条件下对高电流要求的场景。