**VBsemi UTT4425L-VB**
**产品规格:**
- 类型: P—Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -11A
- 导通电阻: RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.42V
**封装:** SOP8
**丝印:** VBA2311
**品牌:** VBsemi
**详细性能说明:**
VBsemi UTT4425L-VB 是一款P—Channel沟道MOSFET,适用于-30V电压下,最大电流可达-11A。在VGS分别为10V和20V时,导通电阻为10mΩ。阈值电压为-1.42V。采用SOP8封装,具有卓越的散热性能。
**应用简介:**
该MOSFET广泛适用于多个领域,包括但不限于:
1. **电源管理:** 适用于电源开关模块、电池充放电保护和DC-DC转换器。
2. **电机驱动:** 在电机控制系统中,可用于驱动模块,提高系统效率。
3. **汽车电子:** 可用于汽车电子模块,如车灯控制和电池管理。
4. **工业自动化:** 在工业控制系统中,用于各种开关和驱动电路。
VBsemi UTT4425L-VB 凭借其卓越性能,成为多种电子模块的理想选择。