**产品简介:**
VBsemi的075N15N-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用槽沟技术,适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点,适用于要求高效率和低功率损耗的电源、DC-DC转换器、电机控制等应用。
**详细参数说明:**
- **型号:** 075N15N-VB
- **封装:** TO220
- **配置:** 单N沟道
- **漏源电压(VDS):** 150V
- **门源电压(VGS):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 8.5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 100A
- **技术:** 槽沟技术
**应用示例:**
- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。
- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。
- **DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。
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