10N80L-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介：

10N80L-TA3-T-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，具有800V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的栅极-源极电压（VGS，±），3.5V 的阈值电压（Vth），在VGS=10V 时的导通电阻（RDS(ON)）为850mΩ，最大漏极电流（ID）为7A。该产品采用 TO220 封装。

### 参数说明：

- **包装尺寸**：TO220
- **配置**：单 N-通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：800V
- **栅极-源极电压（VGS）**：30V（±）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：850mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：7A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用示例：

1. **电源模块**：10N80L-TA3-T-VB 可用于开关电源模块中的功率开关。
2. **照明**：适用于 LED 驱动器中的功率开关。
3. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中作为关键功率开关元件使用。
4. **电动汽车充电桩**：可用于电动汽车充电桩中的电源开关。
5. **电机驱动**：用于工业电机驱动器中的功率开关。

这些示例突显了 10N80L-TA3-T-VB 在能源转换、电源管理和电机控制等领域的广泛应用。