13NM60ND-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的13NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），以及在VGS=10V时为370mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为11A，采用多晶硅多重外延（SJ_Multi-EPI）技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO252
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：650V
- **VGS（栅极-源极电压）**：30V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：370mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：11A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：13NM60ND-VB适用于高压电源模块，如开关电源和UPS系统，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动车辆**：在电动车辆中，这种器件可用于电机控制和电池管理，实现电动车辆的高效运行和长时间续航。
3. **工业控制**：适用于工业控制系统中的电源管理和电机控制，具有高效、稳定的性能，满足工业环境的需求。
4. **充电桩**：在充电桩中，该器件可用于电源管理和充电控制，提供高效的充电服务。
5. **太阳能逆变器**：适用于太阳能逆变器中的电源逆变和电池管理，提供可靠的太阳能电力转换和储存。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。