16N65M5-VB TO247一款N-Channel沟道TO247封装的场效应MOS管

### 产品简介

VBsemi 16N65M5-VB TO247 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技术，具有高电压耐受和低导通电阻的特性，适用于高功率应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 16N65M5-VB
- **封装**: TO247
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

#### 电源管理
16N65M5-VB TO247 适用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和功率因数校正（PFC）等应用。其低导通电阻和高漏极电流能力有助于提高系统效率和稳定性。

#### 工业电子
在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动器、高功率开关和逆变器等应用。其高电压耐受和高电流能力使其能够应对工业环境中的各种高功率负载需求。

#### 高性能电源模块
16N65M5-VB TO247 也可应用于高性能电源模块，如服务器电源和工业电源。其高漏极电流和低导通电阻有助于提高电源模块的效率和稳定性。

#### 电动车充电桩
在电动车充电桩中，该型号MOSFET可用于高功率控制和电池管理系统，具有高效率和高功率处理能力，确保充电桩的稳定性和安全性。

总之，VBsemi 16N65M5-VB TO247 MOSFET 适用于各种高功率高压应用，具有优异的性能和稳定性，是工业、电源管理和电动车充电桩等领域的理想选择。