21N65M5-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 21N65M5-VB TO220 产品简介

21N65M5-VB TO220 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装形式为 TO220。具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力,适用于需要高效能量转换和电流控制的应用。

### 21N65M5-VB TO220 详细参数说明

- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N-沟道
- **VDS**: 700V
- **VGS**: ±30V
- **Vth (阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 210mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 21N65M5-VB TO220 应用领域和模块示例

1. **电源管理**
   - **工业电源系统**: 21N65M5-VB TO220 可用于工业电源系统中的开关电源,如逆变器和电源转换器,提供稳定和高效的电力转换。

2. **电机驱动**
   - **电动汽车**: 在电动汽车中,21N65M5-VB TO220 可用于电机驱动系统中的控制器,实现电机的高效驱动和节能运行。

3. **电力调节**
   - **变压器调节**: 21N65M5-VB TO220 可用于变压器调节系统中的功率开关,实现对电力的精确调节和控制。

4. **电力传输**
   - **高压输电系统**: 在高压输电系统中,21N65M5-VB TO220 可用于电力开关和控制,确保电力传输的稳定和高效。

5. **光伏逆变器**
   - **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,21N65M5-VB TO220 可用于逆变器的功率开关,实现太阳能电能的高效转换和利用。

21N65M5-VB TO220 在工业电源、电动汽车、电力调节、电力传输和太阳能逆变器等领域展现了其高压高功率的优势和可靠性,为各种高功率应用提供了高效能量转换和电流控制的解决方案。

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