19N10VL-TN3-R-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和1.8V的阈值电压（Vth）。该器件采用了Trench技术，具有良好的导通特性和低导通电阻，适用于中高压应用场合。

**详细参数：**
- **VDS（漏极-源极电压）:** 100V
- **VGS（栅极-源极电压）:** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）:** 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）:** 
  - 57mΩ @ VGS=4.5V
  - 55mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）:** 25A
- **封装:** TO252
- **技术:** Trench

**适用领域和模块：**
19N10VL-TN3-R-VB适用于各种领域和模块，包括但不限于：
1. **电源供应模块：** 用于开关电源、逆变器和稳压器等模块中，以提供高效的电能转换和控制。
2. **电机控制：** 用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域中，以实现高效的电机控制和驱动。
3. **照明应用：** 用于LED照明、室内照明和汽车照明等场合中，以提供高效、可靠的照明解决方案。
4. **电池管理：** 用于锂电池管理系统、充电器等模块中，以实现高效的电池管理和充电控制。

总的来说，19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款性能优良、适用广泛的功率器件，适合各种中高压应用领域和模块。