**产品简介:**
19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET,具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和1.8V的阈值电压(Vth)。该器件采用了Trench技术,具有良好的导通特性和低导通电阻,适用于中高压应用场合。
**详细参数:**
- **VDS(漏极-源极电压):** 100V
- **VGS(栅极-源极电压):** 20V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 25A
- **封装:** TO252
- **技术:** Trench
**适用领域和模块:**
19N10VL-TN3-R-VB适用于各种领域和模块,包括但不限于:
1. **电源供应模块:** 用于开关电源、逆变器和稳压器等模块中,以提供高效的电能转换和控制。
2. **电机控制:** 用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域中,以实现高效的电机控制和驱动。
3. **照明应用:** 用于LED照明、室内照明和汽车照明等场合中,以提供高效、可靠的照明解决方案。
4. **电池管理:** 用于锂电池管理系统、充电器等模块中,以实现高效的电池管理和充电控制。
总的来说,19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款性能优良、适用广泛的功率器件,适合各种中高压应用领域和模块。