2318AGEN-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 一、产品简介

**型号：2318AGEN-VB**

VBsemi的2318AGEN-VB是一款低功率单N沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件适用于低功率电源电子应用场合。其SOT23-3封装适合小型电路设计，具有良好的散热性能和可靠性。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**：SOT23-3
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：3100mΩ @ VGS=4.5V, 2800mΩ @ VGS=10V
- **连续漏电流（ID）**：0.3A
- **技术**：Trench技术

### 三、应用领域和模块举例

**1. 低功率电源**

2318AGEN-VB适用于各种低功率电源电子应用，如小型电源适配器和便携式电子设备。其低导通电阻和小型封装适合于节能设计，帮助延长电池寿命并减少设备的发热量。

**2. 传感器接口**

该MOSFET可用于传感器接口电路中的信号开关。其低功耗和小型封装适用于需要高度集成和节能设计的传感器接口模块。

**3. 电池管理**

2318AGEN-VB可以应用于便携式电子设备中的电池管理系统。其低功耗和小型封装有助于设计紧凑且高效的电池管理模块，延长电池寿命并提高系统性能。

**4. 医疗设备**

在医疗设备中，该器件可用于各种便携式和低功率设备中的电源管理和信号开关电路。其高效能和低功耗有助于提高设备性能并延长电池寿命。

**5. 工业控制**

2318AGEN-VB还可以应用于工业控制领域，如PLC和工业传感器中的低功率开关和驱动电路。其高可靠性和耐用性确保在工业环境中稳定运行，适用于各种自动化控制系统。

以上示例展示了2318AGEN-VB在不同领域和模块中的广泛适用性，说明了其在各类低功率电源电子设备中的重要性和优越性。