2502PZ-VB一种P+P-Channel沟道TSSOP8封装MOS管

### 2502PZ-VB MOSFET 产品简介

#### 一、产品简介

VBsemi的2502PZ-VB是一款双P+P-沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件具有低导通电阻和高漏极电流能力，适用于需要高效率和高功率处理能力的电源管理应用。

#### 二、详细参数说明

- **封装 (Package)**: TSSOP8
- **配置 (Configuration)**: 双P+P-沟道 (Dual-P+P-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 18mΩ @ VGS=4.5V
  - 13mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -7.5A
- **技术 (Technology)**: Trench

#### 三、应用领域和模块举例

2502PZ-VB MOSFET适用于多种领域和模块，以下是一些具体的应用实例：

1. **电源转换器**：由于其低导通电阻和高功率处理能力，2502PZ-VB可用作电源转换器中的开关器件，实现高效率的能量转换。

2. **电池管理**：在电池管理系统中，2502PZ-VB可用于电池充放电控制，提供稳定的充放电过程和保护功能。

3. **电动车充电器**：在电动车充电器中，2502PZ-VB可用作电源开关，实现高效的充电过程控制，同时保证安全性和稳定性。

4. **手机充电器**：在小型电子设备中，2502PZ-VB可用于手机充电器中的功率开关，提高充电效率。

5. **LED驱动**：在LED照明应用中，2502PZ-VB可用作LED驱动器的开关器件，提供稳定的电流和高效的能量转换。

通过结合其技术特点和具体应用，2502PZ-VB MOSFET提供了一个高效且可靠的解决方案，满足了多种现代电子系统的需求。