### 1. 产品简介:
2N65LL-TA3-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,具有高耐压特性。该器件适用于需要高耐压和低功率的应用场合,如开关电源、逆变器和照明等领域。
### 2. 参数说明:
- **器件类型**:单N沟道MOSFET
- **封装**:TO220
- **最大漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:3900mΩ @ VGS=4.5V, 3120mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:2A
- **技术特点**:Plannar
### 3. 应用示例:
- **开关电源**:2N65LL-TA3-T-VB适用于低功率开关电源模块,如手机充电器和笔记本电脑适配器。其高耐压特性可以提供安全稳定的电源输出。
- **逆变器**:在逆变器应用中,2N65LL-TA3-T-VB可以用作功率开关,实现直流到交流的转换。其高耐压和低导通电阻特性可以提高逆变器的效率和稳定性。
- **照明**:在LED照明应用中,2N65LL-TA3-T-VB可以用作LED驱动器件,实现对LED灯的高效控制。其高耐压特性可以保证LED照明系统的稳定性和安全性。