2N65LL-TM3-T-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的2N65LL-TM3-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了平面技术制造，具有高漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于需要高电压和低电流的应用，如开关电源、照明系统和消费类电子产品。2N65LL-TM3-T-VB采用TO251封装，具有良好的散热性能和高可靠性，适合于需要中等功率密度和高电压的应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 2N65LL-TM3-T-VB
- **封装形式**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 4300mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面技术

### 应用领域和模块示例

1. **开关电源**：
   - 在开关电源中，2N65LL-TM3-T-VB可用于开关电源的开关器件，如电源开关和逆变器。其高漏源极电压和适中导通电阻可确保开关电源的稳定性和效率。

2. **照明系统**：
   - 在LED照明系统中，该MOSFET可用作LED驱动器的开关器件。其高漏源极电压和适中导通电阻可确保LED照明系统的稳定性和高效能。

3. **消费类电子**：
   - 在消费类电子产品中，如电视机、电脑显示器和音响系统，2N65LL-TM3-T-VB可用于电源管理和开关电路。其高可靠性和稳定性可确保设备的安全运行。

4. **工业控制**：
   - 该MOSFET适用于工业控制系统中的电源逆变器和电机控制器。其高漏源极电压和适中导通电阻可提高系统的效率和稳定性。

综上所述，VBsemi的2N65LL-TM3-T-VB MOSFET适用于各种需要高电压和低电流的应用领域，特别是在开关电源、照明系统和消费类电子产品等领域表现突出。