2N90ZL-TF3-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介

**2N90ZL-TF3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO220F封装。这款MOSFET具有950V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为5400mΩ，最大漏极电流（ID）为3A。采用Plannar技术，适用于中功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 规格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封装类型            | TO220F                 |
| 配置                | 单N沟道                |
| 漏源电压（VDS）     | 950V                   |
| 栅源电压（VGS）     | 30V（±）                |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V                   |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 5400mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏极电流（ID）  | 3A                     |
| 技术                | Plannar                |

### 应用领域和模块

1. **电源开关**：2N90ZL-TF3-T-VB MOSFET适用于电源开关应用，如电源适配器、UPS等。其高漏源电压和稳定性能使其能够承受较高的电压和电流负载。

2. **电动车充电桩**：在电动车充电桩中，这款MOSFET可以用作开关元件，控制电流的通断，保证充电过程的稳定性和安全性。

3. **工业电子**：在工业电子设备中，2N90ZL-TF3-T-VB可以用于电机驱动、逆变器等电路中，其高漏源电压和低导通电阻特性使其能够承受高压和高功率负载。