2SK1168-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

**型号：2SK1168-VB**

2SK1168-VB 是 VBsemi 公司生产的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO3P 封装。该器件具有高耐压、适中的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于高功率电子设备和模块的设计。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**：TO3P
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：600V
- **栅源极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：280mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 三、应用领域和模块举例

2SK1168-VB 具有高耐压、适中的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种高功率电子设备和模块的设计。

1. **电源供应**：
   - **电源开关**：在高功率电源开关中，2SK1168-VB 可以用于高效的电源开关，提供稳定的电压输出。
   - **逆变器**：在高功率逆变器中，该器件可用于转换直流电源为交流电源，用于各种高功率应用领域。

2. **工业电机驱动**：
   - 在工业电机驱动系统中，2SK1168-VB 可以用于驱动大功率电机，提供高效的能量转换和低损耗。

3. **电力传输**：
   - **电力逆变器**：在电力逆变器中，该器件可用于转换直流电源为交流电源，用于电力传输和控制。

4. **电动车充电器**：
   - 在电动车充电器中，2SK1168-VB 可以用于控制电池充放电过程，确保充电效率和电池寿命。

5. **医疗设备**：
   - 在高功率医疗设备中，2SK1168-VB 可以用于驱动高功率器件和处理信号，实现高效、可靠的医疗设备功能。

2SK1168-VB 是一款高性能、高功率的 MOSFET，适用于多种高功率电子设备和系统的设计，提供高效、可靠的解决方案。