### 一、产品简介
**型号:2SK1168-VB**
2SK1168-VB 是 VBsemi 公司生产的一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO3P 封装。该器件具有高耐压、适中的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于高功率电子设备和模块的设计。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO3P
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:600V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:280mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:15A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块举例
2SK1168-VB 具有高耐压、适中的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于多种高功率电子设备和模块的设计。
1. **电源供应**:
- **电源开关**:在高功率电源开关中,2SK1168-VB 可以用于高效的电源开关,提供稳定的电压输出。
- **逆变器**:在高功率逆变器中,该器件可用于转换直流电源为交流电源,用于各种高功率应用领域。
2. **工业电机驱动**:
- 在工业电机驱动系统中,2SK1168-VB 可以用于驱动大功率电机,提供高效的能量转换和低损耗。
3. **电力传输**:
- **电力逆变器**:在电力逆变器中,该器件可用于转换直流电源为交流电源,用于电力传输和控制。
4. **电动车充电器**:
- 在电动车充电器中,2SK1168-VB 可以用于控制电池充放电过程,确保充电效率和电池寿命。
5. **医疗设备**:
- 在高功率医疗设备中,2SK1168-VB 可以用于驱动高功率器件和处理信号,实现高效、可靠的医疗设备功能。
2SK1168-VB 是一款高性能、高功率的 MOSFET,适用于多种高功率电子设备和系统的设计,提供高效、可靠的解决方案。