2SK1167-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**型号：2SK1167-VB**

2SK1167-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有低导通电阻和高漏源电压。其设计旨在满足对高压应用和高电流要求严格的现代电子设备。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO3P
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：600V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：280mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：15A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

**电源逆变器**：2SK1167-VB 可用作高压逆变器中的功率开关元件，提供高效的能源转换和稳定的逆变控制。

**工业电源**：用于工业电源系统中的高压开关，如在工业设备和机器人控制系统中。

**电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，该器件可用作功率开关，提供稳定的充电电流和高效的能源转换。

**太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，2SK1167-VB 可用作高压开关，提供高效能的能源转换和稳定的逆变控制。

**医疗设备**：在医疗设备中，如X射线机和医用超声仪，该器件可用作功率开关元件，提供稳定的电源控制和高效的能源转换。

以上示例展示了2SK1167-VB 的多功能性和在各种高压、高电流电路中的优越表现，是各种高性能电子设备中的理想选择。