### 产品简介
**型号:2SK1167-VB**
2SK1167-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有低导通电阻和高漏源电压。其设计旨在满足对高压应用和高电流要求严格的现代电子设备。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO3P
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:600V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:280mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:15A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
**电源逆变器**:2SK1167-VB 可用作高压逆变器中的功率开关元件,提供高效的能源转换和稳定的逆变控制。
**工业电源**:用于工业电源系统中的高压开关,如在工业设备和机器人控制系统中。
**电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,该器件可用作功率开关,提供稳定的充电电流和高效的能源转换。
**太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中,2SK1167-VB 可用作高压开关,提供高效能的能源转换和稳定的逆变控制。
**医疗设备**:在医疗设备中,如X射线机和医用超声仪,该器件可用作功率开关元件,提供稳定的电源控制和高效的能源转换。
以上示例展示了2SK1167-VB 的多功能性和在各种高压、高电流电路中的优越表现,是各种高性能电子设备中的理想选择。