### 产品简介详
2SK1625S-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI 技术,具有优异的高压承受能力和低导通电阻。该型号封装为TO252,适用于中高压应用场合,如电源转换器、照明系统和电动汽车控制等,具有高可靠性和稳定性。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 700mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块举例
2SK1625S-VB 功率MOSFET适用于多个领域和模块,以下是一些具体的应用实例:
1. **电源转换器**:
在开关模式电源转换器中,可以用于高效能耗的功率开关,确保高电压条件下的稳定输出。
2. **照明系统**:
适用于LED照明系统中的高压开关,通过高可靠性和低导通电阻,提供稳定的照明效果。
3. **电动汽车控制**:
在电动汽车的电机控制系统中,可用于功率逆变器和电机驱动器,提供高效的电能转换和可靠的动力输出。
4. **工业电源**:
用于工业设备和机械中的高压电源管理模块,确保设备的稳定运行和高效能耗。
综上所述,2SK1625S-VB 在中高压应用领域具有广泛的应用潜力,其高性能和稳定性为各种电路设计提供了可靠的解决方案。