2SK2767-01_1-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SK2767-01_1-VB 产品简介

2SK2767-01_1-VB 是一种高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，具有卓越的电压和电流处理能力。其设计旨在满足高效能和可靠性的要求，适用于各种电力电子应用。该型号具有900V 的漏源电压 (VDS) 和 5A 的连续漏极电流 (ID)，在VGS=10V 时导通电阻 (RDS(ON)) 仅为1500mΩ，展示了优异的开关性能。2SK2767-01_1-VB 利用 SJ_Multi-EPI 技术，增强了器件的热稳定性和耐久性，使其在高压应用中表现出色。

### 二、2SK2767-01_1-VB 详细参数说明

| 参数                | 数值        | 单位    | 备注                                |
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| **封装类型**         | TO220     |       |                                   |
| **配置**            | 单 N 沟道    |       |                                   |
| **漏源电压 (VDS)**  | 900       | V     | 最大额定值                         |
| **栅源电压 (VGS)**  | 30（±）   | V     | 最大额定值                         |
| **阈值电压 (Vth)**  | 3.5       | V     | 典型值                             |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1500      | mΩ    | VGS=10V 时                         |
| **连续漏极电流 (ID)** | 5         | A     | 最大额定值                         |
| **技术**            | SJ_Multi-EPI |       | 超结多层外延工艺                       |

### 三、应用领域及示例

2SK2767-01_1-VB MOSFET 在高压和高效能要求的应用中具有广泛的适用性：

1. **电力转换系统**：该 MOSFET 可用于直流-直流转换器、逆变器和电源模块中。其高 VDS 和低 RDS(ON) 的特性使其在转换效率和热管理方面表现优越，适合用于太阳能发电系统和电动汽车充电站等领域。

2. **工业电机驱动**：在工业电机驱动应用中，2SK2767-01_1-VB 能够提供稳定的高压电流输出，适用于变频器和伺服驱动系统。这有助于提高电机效率并降低能耗。

3. **不间断电源 (UPS)**：对于需要可靠电源管理的 UPS 系统，该 MOSFET 提供了高效的电流传输和开关特性，确保系统在断电时提供持续的电力供应，保护关键设备的正常运行。

4. **照明系统**：在高效照明解决方案中，2SK2767-01_1-VB 可用于 LED 驱动器和电源管理模块。其高效能和可靠性使其成为智能照明和节能照明系统的理想选择。

综上所述，2SK2767-01_1-VB MOSFET 在电力转换、工业驱动、UPS 系统和高效照明等领域展示了出色的性能和应用前景。